高新区鑫耀半导体有限公司高品质砷化镓晶片新建项目
项目编号：HBHG-202512FJ-006
项目名称：高新区鑫耀半导体有限公司高品质砷化镓晶片新建项目
项目地址：湖北省黄冈市黄冈高新区生物医药化工园鹰岭路和外环路交界处
资金来源：自筹
项目规模：项目用地面积26666.7㎡，拟新建厂房、原辅料库、研发中心、大宗气站、化学品库等共14674㎡，购置砷化镓主要工艺设备771台及石英管生产主要工艺设备21台，搬迁原有设备379台，建设一条年产70万片6英寸高品质砷化镓晶片产线及一条年产3万套半导体级4-6英寸石英管生产线。
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